IBM正在开发一直“赛道内存”，利用磁性纳米管中的原子来存储信息，且读写信息的速度比闪存快10万倍。IBM员工Stuart Parkin表示，赛道内存是一种固态内存，结合了闪存的优点，象没有转动部件，还结合了硬盘的稳定与耐久性 。

这项名为高K金属门（high-k/metal gate）技术最高能够提高32纳米工艺制程芯片30%的性能，并且最多降低50%的能耗。门是芯片数字电路中的基本模块单位，英特尔使用的高K金属门物质叫做铪，它替代了晶体管的二氧化硅梦电介质。

谢诺伊(Navin Shenoy)日前撰文指出，将互联网放入口袋、下一个10亿计算机用户、环保计算是下一个10年IT产业面临的三大商机。英特尔共同创始人摩尔于1965年提出了摩尔定律，他指出芯片上的晶体管数目每2年就会增加一倍，而价格下降一半。

确定了新的材料，要在45纳米的量产中达到设定的目标也不是一件容易的事情。其中的艰辛就不再累述。现在看看新的材料在“高-K 栅极介电质+金属栅极”晶体管中带来了什么样的奇特效果。

在过去一年中，随着媒体对英特尔45纳米和高K-金属栅极的介绍和评论，让大家开始知道这两个新词汇，所以大家可能有这样的疑问：在处理器量产中采用的45纳米芯片生产工艺和同时提及的高K-金属栅极有什么关系吗？

随着IDF的不断临近，Intel关于其下一代处理器的信息也随之传来。据悉，Intel透露了有关最新安腾处理器的信息。

就在近日，国际固态电子电路大会即将召开之际，Intel内部有消息传出，采用四核心设计的安腾处理器Tukwilla将会在该大会上展出，正式与大家见面。

乐观者们认为，设计师们将不再以缩小晶体管体积为主，而会采用堆栈的方式。东芝已经计划开发3D内存。英特尔和IBM也在研究具备两个或三个闸极的晶体管，这种做法和3D方法差不多。

在晶体管诞生60年后的今天，其体积几乎缩小到了极限，这就意味着它已经步入“老年时代”。为了避免这种尴尬局面的发生，芯片厂商们正投入巨资寻找使用当前晶体管的新模式，以便让晶体管以一种不同而强大的方式运行。

11月6日，日本东京大学发布了GRAPE-DR处理器及芯片组，该处理器拥有多达512个核心和3亿个晶体管。GRAPE-DR表面积17mm×17mm，采用90nm制程，安装在PCI-X附加卡上，用做系统中央处理器的辅助动力。