这项名为高K金属门(high-k/metal gate)技术最高能够提高32纳米工艺制程芯片30%的性能,并且最多降低50%的能耗。门是芯片数字电路中的基本模块单位,英特尔使用的高K金属门物质叫做铪,它替代了晶体管的二氧化硅梦电介质。