IBM联盟周一演示了提高芯片性能降低电耗的技术，此技术是IBM和三星等合作伙伴共同研发的结果，可以应用于从手机芯片到高端服务器芯片的各种处理器。

这项名为高K金属门（high-k/metal gate）技术最高能够提高32纳米工艺制程芯片30%的性能，并且最多降低50%的能耗。IBM将45纳米芯片做对比做出这一结论。

这种技术允许三星，东芝和Freescale Semiconductor （摩托罗拉的前部门）制造出更多低耗电的高性能芯片。新技术对于从手机等小型设备到数据中心等大型设备均有帮助。

门是芯片数字电路中的基本模块单位，英特尔使用的高K金属门物质叫做铪，它替代了晶体管的二氧化硅梦电介质。随着晶体管的缩小，电流泄漏现象就会发生。对于芯片制造商们来说，将电流泄漏降低至最低至关重要。这也是高K金属门所发挥的作用。

此项技术将在2009年下半年被联盟成员使用。因为技术原因，AMD没有参加这一联盟，AMD是另外一个联盟SOI（绝缘体上硅）的成员。