三星电子公司本周二表示将提高50nm DDR3产品的产量，以满足英特尔发布至强5500系列的需求。
三星等厂商认为到今年年底DDR3将成为主流DRAM技术。不少分析师，包括Needham & Co. LLC的分析师Edwin Mok，曾表示DDR3将在今年取得不少市场份额。
三星表示，三星DDR3让OEM厂商可以设计出每个系统192GB、相比DDR2性能提升一倍、而能耗降低60%的服务器系统。
三星半导体美国分公司内存营销副总裁Jim Elliott表示，配合使用至强5500处理器，DDR3可以大幅提升几乎任何企业企业级服务器应用的数据交易效率。
Intel上个月正式发布了45nm 至强5500服务器处理器，至强5500芯片集成了内存控制器和高速互连技术。
三星公司表示，目前已经有40个50nm三星DDR3解决方案通过了英特尔至强5500平台的认证。已经通过Intel认证计划的三星DDR3包括1Gb、2Gb DRAM芯片，1GB、2GB、4GB、8GB和16GB的RDIMM，和1GB、2GB以及4GB的UDIMM。
最新通过认证的DDR3芯片提供了每秒800MB、1066MB和1333MB的速度，相比60nm DDR3芯片来说，最新的DDR3在1333Mbps的速度上可以节电约40%。
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